图4.聚合物给体(DCBT-2F)2、海南非富勒烯受体IT-4F、C60和PC61BM中的静电势(ESP)分布。

力争（h）共形贴合器件用不同的栅极脉冲数进行刺激后的记忆衰减曲线。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，全质量投稿邮箱[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

最早的人工突触是基于互补金属氧化物半导体（CMOS）电路的传统电子突触成功设计，国率但是存在着制造过程复杂、成本高和功耗大等一系列问题。图四、先建玻璃半球表面上的柔/弹性有机突触晶体管的增强/抑制特性（a）贴合在不同半径(8-4mm)的玻璃半球上。无机材料固有的刚性使得突触晶体管缺乏良好的柔性和生物相容性，成高充电严重限制了其在生物医学领域的应用潜力。

（b）在0、基础200、400、800和1000次弯曲循环后，分别贴合在半径为4mm玻璃半球上。即使在多次剥离后再次粘附在4mm半球表面上时，设施突触晶体管也可以很好地工作。

现任国际发光会议（ICL）程委会委员，体系国际II-VI族化合物材料会议顾委会委员，体系中国科学院长春光机所发光与应用国家重点实验室学术委员会委员，中国科学院清洁能源重点实验室学术委员会委员，中国物理学会发光分会副主任，中国真空学会常务理事，中国光学学会理事，第六届教育部科学技术委员会委员及数理学部委员，吉林省物理学会副理事长，长春市物理学会理事长，《发光学报》副主编，《物理实验》副主编。

（c-e）随形贴合在颅神经、海南活瓢虫和蚱蜢上的突触晶体管照片。该发现还表明，力争CE可以在两种相同的材料之间发生，是由于存在由具有不同曲率/粗糙度的表面的纳米级摩擦引起的局部温差。

【团队在该领域的工作汇总】1.提出微观尺度在线测量摩擦起电的方法：全质量NanoLett2013,13,2771-2776.2.通过加偏压实现了摩擦起电的控制：全质量NanoLett2014,14,1567-1572.3在微观下比较了摩擦起电和接触起电之间的区别：NanoResearch2016,9,3705-3713.4.研究了tapping模式的起电规律，发现只有探针和样品接近到一定程度才能够产生摩擦起电：ACSNano2016,10,2528-2535.5.在宏观尺度研究了摩擦电荷在绝缘体表面的衰减规律，提出热电子发射模型：AdvancedMaterials2018,30,1706790.6.在宏观尺度研究了曲率对摩擦起电的影响，发现曲率的变化能够影响绝缘体之间的电子转移：ACSNano2019,13,2034-2041.本文由材料人编辑部abc940504【肖杰】编译整理。图3温差对镀金探针与SiO2样品之间CE的影响a)样品温度为313K时，国率转移电荷密度随探针温度的变化。

b,c)当金属温度等于或高于电介质温度，先建对金属施加负偏压时金属和电介质的能带结构。文献链接：成高充电ElectronTransferinNanoscaleContactElectrification:EffectofTemperatureintheMetal–DielectricCase(Adv.Mater.,2019,DOI:10.1002/adma.201808197)【团队介绍】王中林院士是纳米能源研究领域的奠基人，成高充电首次发明了纳米发电机和自驱动纳米系统技术，被誉为纳米发电机之父。